FDD8424H

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252（DPAK）
数量：: 7362
说明：: MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET

一、本商品被浏览0次.

FDD8424H PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns, 20 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：13 ns, 3 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：29 S
下降时间：6 ns, 3 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：24 mOhms
漏极连续电流：9 A, - 6.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+/- 40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD8424H的详细信息，包括FDD8424H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：