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FDD8426H

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-252（DPAK）
数量：
 819  
说明：
 MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench
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FDD8426H PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：27 ns, 32 ns
上升时间：4.9 ns, 6.9 ns
功率耗散：56 W, 65 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：53 S, 31 S
下降时间：3.7 ns, 7.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252-4L
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14 m Ohms, 19 m Ohms
漏极连续电流：12 A, - 10 A
汲极/源极击穿电压：40 V, - 40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD8426H的详细信息，包括FDD8426H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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