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FDD1600N10ALZ

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 32690  
说明：
 MOSFET PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
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FDD1600N10ALZ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
上升时间：14 ns
功率耗散：14.9 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：3.61 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：34 S
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：D-PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：175 mOhms
漏极连续电流：6.8 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD1600N10ALZ的详细信息，包括FDD1600N10ALZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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