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FDC655BN_F123

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SSOT-6
数量：
 315  
说明：
 MOSFET 30V N-CHAN 0.025Ohms
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FDC655BN_F123 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.025 Ohms
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC655BN_F123的详细信息，包括FDC655BN_F123厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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