FDC6561AN_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SSOT-6
数量:
 4635  
说明:
 MOSFET N-Channel 30V
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:12 ns
上升时间:10 ns
功率耗散:0.9 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5 S
下降时间:10 ns
包装形式:Reel
封装形式:SSOT-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.095 Ohms
漏极连续电流:2.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

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