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FDC6401N

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SuperSOT?-6
数量：
 5175  
说明：
 MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
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FDC6401N PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FDC6401N_NL
典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：7 ns
功率耗散：0.96 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：10 S
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.07 Ohms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6401N的详细信息，包括FDC6401N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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