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FDC6401N_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SSOT-6
数量：: 4590
说明：: MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench

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FDC6401N_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：0.96 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.07 Ohms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6401N_Q的详细信息，包括FDC6401N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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