首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FDC6333C

FDC6333C

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT?-6
数量：: 32268
说明：: MOSFET 30V/-30V N/P

一、本商品被浏览0次.

FDC6333C PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FDC6333C_NL
典型关闭延迟时间：19 ns at N Channel, 11 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：6 ns at N Channel, 13 ns at P Channel
功率耗散：0.96 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：7 S, 3 S
下降时间：6 ns at N Channel, 13 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.095 Ohms
漏极连续电流：+ 2.5 A, - 2 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V, +/- 25 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6333C的详细信息，包括FDC6333C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：