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FDC637AN

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
数量：
 5040  
说明：
 MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
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FDC637AN-SOT-23-6 细型，TSOT-23-6图片

FDC637AN PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 6.2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1125pF @ 10V
功率 - 最大800mW
安装类型表面贴装

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