FDC2512_F095

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT?-6
数量：: 3996
说明：: MOSFET 200V 1.1A N-CH POWERTRENCH

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FDC2512_F095 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：3.5 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SuperSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：425 mOhms
漏极连续电流：1.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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