FDC3601N

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT?-6
数量：: 4041
说明：: MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench

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FDC3601N PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FDC3601N_NL
典型关闭延迟时间：11 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：4 ns
功率耗散：0.96 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3.6 S
下降时间：4 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.5 Ohms
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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