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中文参数如下:
FET 型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 6A, 5V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1.2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2.8nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :240pF @ 50V
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装
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