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中文参数如下:
FET 型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 毫欧 @ 33A, 5V
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:33A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 9mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:10.5nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1100pF @ 20V
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装
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