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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:16.6 ns, 28.4 ns
上升时间:4.2 ns, 4.9 ns
功率耗散:1.2 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:4.6 nC, 5.1 nC
下降时间:5.8 ns, 12.4 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):32 mOhms, 85 mOhms
漏极连续电流:6.5 A, - 4.2 A
汲极/源极击穿电压:30 V, - 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:Diodes Inc.
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