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中文参数如下:
工厂包装数量:2500
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:4.3 nC, 6.8 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :7.7 nC, 8.8 nC
包装形式:Reel
封装形式:SOP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):28 mOhms at 10 V, 30 mOhms at -10 V
漏极连续电流:6.9 A, - 6 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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