首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > DI9400T

DI9400T

厂家：
  Diodes Incorporated
封装：
 -
数量：
 4168  
说明：
 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
DI9400T--图片

DI9400T PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 350pF @ 10V
功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装

以上是DI9400T的详细信息，包括DI9400T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • BSC252N10NSFGATMA1
  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3
  • SIHU6N80AE-GE3

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      DIA-1

      电路保护套件 ATC DIAGNOSTIC KIT

    • 暂无电子元件图

      DIA-2

      电路保护套件 ATM DIAGNOSTIC KIT

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC