DI9952T

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: -
数量：: 2796
说明：: MOSFET N/P-CHANNEL COMP SO-8

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中文参数如下：
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C-
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）-
闸电荷(Qg) @ Vgs-
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) -
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装

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