CSD25302Q2

厂家：: Texas Instruments
封装：: 6-SON
数量：: 5958
说明：: MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET

一、本商品被浏览0次.

CSD25302Q2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：8.6 ns
商标名：NexFET
工厂包装数量：3000
上升时间：13.2 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：2.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12.3 S
下降时间：1.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：SON-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：49 mOhms
漏极连续电流：- 5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD25302Q2的详细信息，包括CSD25302Q2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：