CSD25401Q3

厂家:
  Texas Instruments
封装:
 8-PowerTDFN
数量:
 5985  
说明:
 MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs
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CSD25401Q3-8-PowerTDFN图片

CSD25401Q3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:13.5 ns
商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
上升时间:3.9 ns
功率耗散:2.8 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:12.6 ns
包装形式:Reel
封装形式:SON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Source Triple Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0117 Ohms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是CSD25401Q3的详细信息,包括CSD25401Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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