CSD25401Q3

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-PowerTDFN
数量：: 5985
说明：: MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs

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CSD25401Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13.5 ns
商标名：NexFET
工厂包装数量：2500
上升时间：3.9 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：SON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Source Triple Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0117 Ohms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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