CSD25301W1015

厂家：: Texas Instruments
封装：: 6-UFBGA，DSBGA
数量：: 5931
说明：: MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs

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CSD25301W1015 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：29 ns
商标名：NexFET
工厂包装数量：3000
功率耗散：1500 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：DSBGA-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：75 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：2.2 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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