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中文参数如下:
商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
功率耗散:3 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :16 S
包装形式:Reel
封装形式:SON-5
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):9 mOhms
漏极连续电流:65 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
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