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中文参数如下:
商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
功率耗散:3.2 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :200 S
包装形式:Reel
封装形式:SON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.8 mOhms
漏极连续电流:38 A
闸/源击穿电压:4.5 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
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