CSD17313Q2

厂家：: Texas Instruments
封装：: 6-WDFN 裸露焊盘
数量：: 11565
说明：: MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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CSD17313Q2 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：4.2 ns
商标名：NexFET
工厂包装数量：3000
功率耗散：2.3 W
栅极电荷 Qg：2.1 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：16 S
包装形式：Reel
封装形式：SON-6
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：26 mOhms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：10 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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