CSD17309Q3

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-PowerTDFN
数量：: 7952
说明：: MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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CSD17309Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：NexFET
工厂包装数量：2500
上升时间：9.9 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：SON-8 3 x 3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.9 mOhms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：- 8 V, + 10 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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