CSD17309Q3

厂家:
  Texas Instruments
封装:
 8-PowerTDFN
数量:
 7952  
说明:
 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
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CSD17309Q3 PDF参数资料

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中文参数如下:

商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
上升时间:9.9 ns
功率耗散:2.8 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:3.6 ns
包装形式:Reel
封装形式:SON-8 3 x 3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.9 mOhms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:- 8 V, + 10 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是CSD17309Q3的详细信息,包括CSD17309Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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