CSD16301Q2

厂家：: Texas Instruments
封装：: 6-SMD，扁平引线
数量：: 7156
说明：: MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET

一、本商品被浏览0次.

CSD16301Q2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：4.1 ns
商标名：NexFET
工厂包装数量：3000
上升时间：4.4 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：16.5 S
下降时间：1.7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SON-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：23 mOhms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：10 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD16301Q2的详细信息，包括CSD16301Q2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：