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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:13.8 ns
商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
上升时间:16.1 ns
功率耗散:3 W
栅极电荷 Qg:6.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :121 S
下降时间:5.2 ns
包装形式:Reel
封装形式:SON-8
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.3 mOhms
漏极连续电流:60 A
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
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