CSD16327Q3

厂家:
  Texas Instruments
封装:
 8-PowerTDFN
数量:
 7211  
说明:
 MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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CSD16327Q3-8-PowerTDFN图片

CSD16327Q3 PDF参数资料

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中文参数如下:

商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
功率耗散:3 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SON-3x3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.4 mOhms
漏极连续电流:21 A
闸/源击穿电压:- 8 V to + 10 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是CSD16327Q3的详细信息,包括CSD16327Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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