CMLDM3757

厂家：: Central Semiconductor
封装：: SOT-563
数量：: 9817
说明：: MOSFET N&P Chan Comp Mosfet's

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CMLDM3757 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：350 mW
栅极电荷 Qg：1.58 nC
包装形式：Reel
封装形式：SOT-563
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.35 Ohms
漏极连续电流：540 mA, 430 mA
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Central Semiconductor

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