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中文参数如下:
功率耗散:350 mW
最小工作温度:- 65 C
封装形式:SOT-563-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):2000 mOhms
漏极连续电流:0.28 A
闸/源击穿电压:40 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:过渡期间
产品种类:MOSFET
制造商:Central Semiconductor
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