BUK9E06-55B

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-220
数量：: 891
说明：: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

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BUK9E06-55B PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BUK9E06-55B,127
典型关闭延迟时间：117 ns
工厂包装数量：50
上升时间：95 ns
功率耗散：258 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：106 ns
包装形式：Rail
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0054 Ohms
漏极连续电流：146 A
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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