BUK9E06-55B

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-220
数量:
 891  
说明:
 MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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BUK9E06-55B PDF参数资料

中文参数如下:

零件号别名:BUK9E06-55B,127
典型关闭延迟时间:117 ns
工厂包装数量:50
上升时间:95 ns
功率耗散:258 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:106 ns
包装形式:Rail
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0054 Ohms
漏极连续电流:146 A
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

以上是BUK9E06-55B的详细信息,包括BUK9E06-55B厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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