BUK9E4R4-40B,127

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
数量:
 1944  
说明:
 MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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BUK9E4R4-40B,127 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BUK9E4R4-40B
典型关闭延迟时间:197 ns
工厂包装数量:50
上升时间:118 ns
功率耗散:254 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:132 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.004 Ohms
漏极连续电流:174 A
闸/源击穿电压:+/- 15 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

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