BUK9E04-30B,127

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 I2PAK
数量:
 1890  
说明:
 MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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BUK9E04-30B,127 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BUK9E04-30B
典型关闭延迟时间:236 ns
工厂包装数量:50
上升时间:76 ns
功率耗散:254 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:143 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.003 Ohms
漏极连续电流:183 A
闸/源击穿电压:+/- 15 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

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