BUK9E04-30B,127

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: I2PAK
数量：: 1890
说明：: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

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中文参数如下：

零件号别名：BUK9E04-30B
典型关闭延迟时间：236 ns
工厂包装数量：50
上升时间：76 ns
功率耗散：254 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：143 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.003 Ohms
漏极连续电流：183 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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