BSS214NH6327XT

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-SOT-23
数量:
 8895  
说明:
 MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor
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BSS214NH6327XT PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BSS214N BSS214NH6327XTSA1 H6327
典型关闭延迟时间:6.8 nS
上升时间:7.8 nS
功率耗散:500 mW
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:0.8 nC
下降时间:1.4 nS
包装形式:Reel
封装形式:PG-SOT-23
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):140 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:1.5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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