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BSP135H6327XTSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT223-4
数量：: 7389
说明：: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

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BSP135H6327XTSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
FET 功能：耗尽模式
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：146 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.9 nC @ 5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 94μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 欧姆 @ 120mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120mA（Ta）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：SIPMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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