BSP149 E6906

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-261-4,TO-261AA
数量:
 7947  
说明:
 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
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BSP149 E6906 PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:耗尽模式
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.8 欧姆 @ 660mA, 10v
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:660mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 400µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:14nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :430pF @ 25V
功率 - 最大:1.8W
安装类型:表面贴装

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