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BSC014NE2LSIXT

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8
数量：: 1008
说明：: MOSFET OptiMOS Power MOSFET

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中文参数如下：

零件号别名：BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1
典型关闭延迟时间：25 ns
上升时间：5 ns
功率耗散：74 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：39 nC
下降时间：3.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.4 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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