点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
晶体管极性：NPN
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 65 C
最大工作温度：+ 200 C
包装形式：Tray
封装形式：SOT-122A
功率耗散：10.8 W
集电极连续电流：1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
最大工作频率：860 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
以上是BLW32的详细信息，包括BLW32厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
