BLV10

厂家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装:
 SOT-123
数量:
 5302  
说明:
 射频双极电源晶体管 RF Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BLV10-SOT-123图片

BLV10 PDF参数资料

中文参数如下:

晶体管极性:NPN
安装风格:Screw
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
增益带宽产品fT:950 MHz
包装形式:Tray
封装形式:SOT-123
功率耗散:20 W
最大直流电集电极电流:4 A
集电极连续电流:1.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:18 V
最大工作频率:175 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:10
配置:Single
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

以上是BLV10的详细信息,包括BLV10厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC