BLF6G10LS-200R,112

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT502B
数量：: 6426
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

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BLF6G10LS-200R,112 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BLF6G10LS-200R
工厂包装数量：20
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.06 Ohms
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tube
封装形式：SOT502B
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：- 0.5 V to + 13 V
漏极连续电流：49 A
汲极/源极击穿电压：65 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

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