BLF573S

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT-502B
数量:
 5661  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 300W, HF-500MHz
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BLF573S-SOT-502B图片

BLF573S PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms
产品类型:RF MOSFET Power
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Bulk
封装形式:SOT-502B
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:11 V
漏极连续电流:42 A
汲极/源极击穿电压:110 V
输出功率:300 W
增益:27.2 dB
频率:225 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:NXP

以上是BLF573S的详细信息,包括BLF573S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • BLF573S,112图片

    BLF573S,112

    射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 110V 42A 3-Pin

  • 暂无电子元件图

    BLF574

    射频MOSFET电源晶体管 500-600W, HF-500MHz

  • BLF574,112图片

    BLF574,112

    射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 110V 42A 5-Pin

  • 暂无电子元件图

    BLF578

    射频MOSFET电源晶体管 1200W, HF-500MHz

  • BLF578,112图片

    BLF578,112

    射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS

  • BLF578XR,112图片

    BLF578XR,112

    射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor

  • BLF642,112图片

    BLF642,112

    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TRANSISTOR

  • BLF645,112图片

    BLF645,112

    射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS

  • BLF647,112图片

    BLF647,112

    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS 150W UHF

  • BLF647A图片

    BLF647A

    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC