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中文参数如下:
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms
产品类型:RF MOSFET Power
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Bulk
封装形式:SOT-502B
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:11 V
漏极连续电流:42 A
汲极/源极击穿电压:110 V
输出功率:300 W
增益:27.2 dB
频率:225 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:NXP
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