BLF4G20-110B

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 LDMOST-3
数量:
 5589  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
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BLF4G20-110B PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BLF4G20-110B,112
工厂包装数量:20
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms
产品类型:MOSFET Power
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Tube
封装形式:LDMOST-3
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:15 V
漏极连续电流:12 A
汲极/源极击穿电压:65 V
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:NXP

以上是BLF4G20-110B的详细信息,包括BLF4G20-110B厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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