BLF177CR

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-121B
数量：: 5454
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 VDMOS TNS

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BLF177CR PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BLF177CR,112
工厂包装数量：20
功率耗散：220 W
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tube
封装形式：SOT-121B
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：16 A
汲极/源极击穿电压：125 V
输出功率：150 W
增益：19 dB
频率：108 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

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