BLA6G1011L-200RG,1

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-502D
数量：: 6156
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR

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BLA6G1011L-200RG,1 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：20
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tube
封装形式：SOT-502D
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：49 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：200 W
增益：20 dB
频率：1.03 GHz to 1.09 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

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