BFR 193 E6327

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 SOT-23
数量:
 17397  
说明:
 射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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BFR 193 E6327 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056
工厂包装数量:1
系列:BFR193
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
直流电流增益 hFE 最大值:70 at 30 mA at 8 V
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:70
功率耗散:580 mW
集电极连续电流:0.08 A
发射极 - 基极电压 VEBO:2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V
最大工作频率:8000 MHz
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频双极小信号晶体管
制造商:Infineon

以上是BFR 193 E6327的详细信息,包括BFR 193 E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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