首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 射频半导体 > 晶体管射频 > 射频MOSFET小信号晶体管 > BF 998 E6327

BF 998 E6327

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 SOT-143
数量：
 6594  
说明：
 射频MOSFET小信号晶体管 N-CH 12 V 30 mA
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

BF 998 E6327 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978
工厂包装数量：3000
系列：BF998
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-143
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：200 mW
漏极连续电流：0.03 A
闸/源击穿电压：8 V to 12 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Single Dual Gate
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET小信号晶体管
制造商：Infineon

以上是BF 998 E6327的详细信息，包括BF 998 E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频MOSFET电源晶体管   射频硅锗晶体管   射频双极小信号晶体管   射频JFET晶体管   射频双极电源晶体管  

最新产品：

  • SY100E111AEJY-TR
  • DB0218LA1-R
  • E36D500HPN273MA92U
  • XCVM1402-1LSIVFVC1596
  • AS3561-BWLM
  • GBLA04
  • 501FBE-ADAG
  • CA0612KRX7R9BB392
  • 66AK2H06AAAWA2
  • ECX-P27CM-33.333

    • 相近型号推荐

    • BF 998R E6327图片

      BF 998R E6327

      射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N_Channel MOSFET Tetrode

    • BF 999 E6327图片

      BF 999 E6327

      射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode

    • BF 999 E6433图片

      BF 999 E6433

      射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Ch MOSFET Triode

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC