中文参数如下：
工厂包装数量：2000
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
直流电流增益 hFE 最大值：67
包装形式：Bulk
封装形式：TO-92
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：67
功率耗散：350 mW
集电极连续电流：0.03 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频双极小信号晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor
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