APTM60A11FT1G

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 
数量:
 6819  
说明:
 MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
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APTM60A11FT1G PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:2 N 沟道(半桥)
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:132 毫欧 @ 33A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:330nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :10552pF @ 25V
功率 - 最大:390W
安装类型:底座安装

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