APTM60A23FT1G

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP1
数量：: 5328
说明：: MOSFET MODULE PHASE LEG SP1

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APTM60A23FT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：2 N 沟道（半桥）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：276 毫欧 @ 17A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：165nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5316pF @ 25V
功率 - 最大：208W
安装类型：底座安装

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