APTM50AM70FT1G

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP1
数量：: 4959
说明：: MOSFET MODULE PHASE LEG SP1

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APTM50AM70FT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：2 N 沟道（半桥）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：84 毫欧 @ 42A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：340nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：10800pF @ 25V
功率 - 最大：390W
安装类型：底座安装

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