APTM50DHM35G

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP6
数量：: 1998
说明：: MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6

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中文参数如下：
FET 型2 N 沟道（非对称桥）
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 49.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)500V
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs280nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C99A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 14000pF @ 25V
功率 - 最大781W
安装类型底座安装

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